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Endereçamento de Memória
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Como é preciso que a memória SDRAM a ser usada seja rápida o suficiente para acompanhar a placa mãe, é possível encontrar versões com tempos de acesso entre 15 e 6 nanossegundos.
Para determinar a velocidade máxima de operação de um módulo de memória SDRAM, basta dividir 1000 pelo seu tempo de acesso: um módulo com tempo de acesso de 15 nanos poderia trabalhar a apenas 66 MHz, já que 1000/15 = 66. Outra com tempo de acesso de 12 nanos já poderia trabalhar a 75 ou até 83 MHz, já que 1000/12 = 83. Para confirmar a validade deste cálculo, basta dividir 1 segundo por 83 milhões de ciclos da placa mãe e teremos justamente 12 nanos.
Justamente o fato de trabalharem sincronizadas com os ciclos da placa mãe torna as memórias SDRAM muito mais rápidas que suas antecessoras. Um módulo com tempo de acesso de 12 nanossegundos consegue ser cerca de 30% mais rápido que módulos de memórias EDO de 60 nanos, a 66 MHz (5 + 1 + 1 + 1 = 8 ciclos por 4 acessos na memória SDRAM contra 5 + 2 + 2 + 2 = 11 ciclos por 4 acessos da memória EDO) e quase 50% mais rápido a 83 MHz (5 + 1 + 1 + 1 = 8 da memória SDRAM contra 6 + 3 + 3 + 3 = 15 da memória EDO). Caso fosse utilizado um barramento de 100 MHz (neste caso precisaríamos de memórias PC-100), as memórias EDO se mostrariam quase 2.5 vezes mais lentas (5 + 1 + 1 + 1 = 8 contra 7 + 4 + 4 + 4 = 19).
Por não trabalharem sincronizadas com o clock da placa mãe, as memórias FPM…
Para determinar a velocidade máxima de operação de um módulo de memória SDRAM, basta dividir 1000 pelo seu tempo de acesso: um módulo com tempo de acesso de 15 nanos poderia trabalhar a apenas 66 MHz, já que 1000/15 = 66. Outra com tempo de acesso de 12 nanos já poderia trabalhar a 75 ou até 83 MHz, já que 1000/12 = 83. Para confirmar a validade deste cálculo, basta dividir 1 segundo por 83 milhões de ciclos da placa mãe e teremos justamente 12 nanos.
Justamente o fato de trabalharem sincronizadas com os ciclos da placa mãe torna as memórias SDRAM muito mais rápidas que suas antecessoras. Um módulo com tempo de acesso de 12 nanossegundos consegue ser cerca de 30% mais rápido que módulos de memórias EDO de 60 nanos, a 66 MHz (5 + 1 + 1 + 1 = 8 ciclos por 4 acessos na memória SDRAM contra 5 + 2 + 2 + 2 = 11 ciclos por 4 acessos da memória EDO) e quase 50% mais rápido a 83 MHz (5 + 1 + 1 + 1 = 8 da memória SDRAM contra 6 + 3 + 3 + 3 = 15 da memória EDO). Caso fosse utilizado um barramento de 100 MHz (neste caso precisaríamos de memórias PC-100), as memórias EDO se mostrariam quase 2.5 vezes mais lentas (5 + 1 + 1 + 1 = 8 contra 7 + 4 + 4 + 4 = 19).
Por não trabalharem sincronizadas com o clock da placa mãe, as memórias FPM…
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