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Eletrônica de Potência: Chaveadores de Corrente tipo Mosfet e SCR
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Vantagens:
• Baixo custo;
• Perda de condução reduzida;
• Opera em elevadas potencias;
Desvantagens:
• Opera em baixas potencias;
• Circuito de comando bastante complexo.
MOSFET
É um transistor de chaveamento rápido que possui alta impedância de entrada apropriado para potências baixas e altas freqüências. Um MOSFET tem aplicações importantes em fontes de alimentação chaveadas, nas quais freqüências altas de chaveamento subentendem componentes menores e mais econômicos além de motores de baixa velocidade de controle que utilizem modulação por largura de pulso.
Os MOSFETS geralmente utilizados para aplicações de potência são do tipo N. Quando bloqueado fica polarizado reversamente através da junção P-N (sem tensão no gate), e com resistência elevada.
Em condução o MOSFET tem o seguinte comportamento:
• Tensão positiva do gate induz a condutividade do canal
• A corrente flui através da seção vertical do dispositivo
• A resistência total em condução é dada pelas resistências da região Nֿ, do canal, terminais de contato de dreno e fonte.
• Junção P-Nֿ resulta num diodo Di em anti-paralelo com o sentido…
• Baixo custo;
• Perda de condução reduzida;
• Opera em elevadas potencias;
Desvantagens:
• Opera em baixas potencias;
• Circuito de comando bastante complexo.
MOSFET
É um transistor de chaveamento rápido que possui alta impedância de entrada apropriado para potências baixas e altas freqüências. Um MOSFET tem aplicações importantes em fontes de alimentação chaveadas, nas quais freqüências altas de chaveamento subentendem componentes menores e mais econômicos além de motores de baixa velocidade de controle que utilizem modulação por largura de pulso.
Os MOSFETS geralmente utilizados para aplicações de potência são do tipo N. Quando bloqueado fica polarizado reversamente através da junção P-N (sem tensão no gate), e com resistência elevada.
Em condução o MOSFET tem o seguinte comportamento:
• Tensão positiva do gate induz a condutividade do canal
• A corrente flui através da seção vertical do dispositivo
• A resistência total em condução é dada pelas resistências da região Nֿ, do canal, terminais de contato de dreno e fonte.
• Junção P-Nֿ resulta num diodo Di em anti-paralelo com o sentido…
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